中科院微电子所在极紫外光刻基板缺陷补偿领域取得关键突破，赋能下一代芯片制造

中国科学院微电子研究所在极紫外（EUV）光刻技术这一芯片制造核心领域，取得了一项具有里程碑意义的科研进展。该团队成功研发出一种针对极紫外光刻掩模基板缺陷的创新性补偿技术，为解决制约EUV光刻工艺良率与精度的核心瓶颈问题提供了全新的技术路径，为我国在高端芯片制造装备与工艺的自主可控研发中注入了强劲动力。

极紫外光刻技术被视为延续摩尔定律、制造7纳米及以下制程高端芯片的基石。其核心部件——EUV掩模（光罩）的制备面临前所未有的挑战。掩模基板上即使存在纳米级甚至亚纳米级的微小缺陷，在13.5纳米的极短波长曝光下，也会被放大并转移到硅片上，导致芯片电路图形错误，严重影响芯片性能与生产良率。传统检测与修复技术面临精度极限和成本高昂的双重压力，因此，发展有效的缺陷补偿技术成为全球产业界和学术界竞相攻关的前沿热点。

中科院微电子所的研究团队另辟蹊径，并未直接追求对物理缺陷的“消除”，而是聚焦于如何在光刻成像的“软件”层面进行智能“补偿”。他们通过深度融合计算光刻与机器学习算法，建立了一套高精度的缺陷成像影响预测模型。该模型能够精确模拟掩模基板上特定缺陷在EUV曝光后，于光刻胶上形成的畸变图形。在此基础上，团队创新性地开发出逆向补偿算法，通过智能调整掩模版上邻近缺陷区域的电路设计图形（即进行光学邻近效应修正的优化），使得最终在硅片上成像的图形能够“抵消”缺陷引入的畸变，从而在功能上实现图形的完美复原。

此项技术的突破性在于：

1. 高精度与高效率：结合先进算法，实现了对缺陷影响的纳米级精确预测与补偿，大幅降低了传统物理修复的复杂度和对完美基板的依赖。
2. 工艺兼容性强：该技术属于计算光刻层面的解决方案，可与现有及未来的EUV光刻工艺流程无缝集成，无需改动昂贵的硬件设备，具备显著的成本和应用优势。
3. 提升工艺窗口：通过智能补偿，有效放宽了对掩模基板初始缺陷规格的极端要求，提升了光刻工艺的整体宽容度和稳定性，为良率爬升提供了关键保障。

这一研究成果不仅代表了我国在极紫外光刻这一战略高技术领域的基础研发能力达到了国际先进水平，更从底层方法论上为突破EUV光刻的制造瓶颈提供了“中国方案”。它有望加速EUV光刻技术的成熟与应用部署，对于推动我国集成电路产业攻克高端芯片制造难关、构建自主创新的产业生态体系具有深远的战略意义。研究团队将继续深化与产业界的合作，推动该技术从实验室走向生产线，助力我国网络科技研发与数字经济的基石——先进芯片制造能力实现跨越式发展。